公司介绍

凝萃极限材料，铸就国家算力基石

公司以国家战略需求为导向，聚焦金刚石半导体前沿科技，构建从基础研发、晶体生长、外延工艺到高端器件设计的全产业链闭环。

公司旨在破解关键领域“卡脖子”难题，为我国新一代信息技术、国防安全与高端装备制造提供自主可控的核心材料支撑。

核心技术矩阵与产业化领先优势

公司依托全球领先的科研团队与自主研发体系，在超宽禁带半导体领域建立了三大核心能力支柱：

1. 大尺寸单晶金刚石制备技术：率先在国内实现3英寸及以上单晶金刚石的异质外延生长，晶体质量与生长速度均达到国际一流水平，为产业化奠定了量产基础。
   独创的高速生长工艺使晶体生长效率提升至行业平均水平的2倍以上，显著降低了高端金刚石材料的应用成本。
2. 金刚石基氮化镓外延集成技术：作为国内首家实现金刚石基氮化镓（GaN-on-Diamond）外延片工程化量产的企业，公司突破了一系列异质集成与键合关键技术。
   该技术可将射频器件面功率密度提升至传统碳化硅基方案的3倍以上，显著增强高功率、高频率器件的散热效能与性能极限。
   已获得国家级科研机构与重点军工单位的战略合作与产品验证。
3. 全链条工艺与器件协同开发能力：公司具备从材料设计、外延生长、晶圆制程到射频器件模拟的全流程开发资源，形成了以材料定义器件、以器件牵引工艺的协同创新模式，可为客户提供从材料到模组的定制化解决方案。

领军团队与创新体系

公司由国际著名化合物半导体专家团队创立。
团队成员在半导体材料与器件领域拥有逾40年研发与产业化经验，构建了一支涵盖材料科学、凝聚态物理、半导体工艺与器件设计的跨学科顶尖团队，并持续与国内外高校、科研院所开展深度合作，形成了“产学研用”一体化的持续创新体系。

产业应用与战略布局

公司产品与技术主要面向以下战略市场：

• 国防与航空航天：用于新一代相控阵雷达、卫星通信、电子对抗系统的高功率、高效率射频组件；
• 新一代通信基础设施：支撑5G/6G基站、毫米波通信的高频高功率器件；
• 高端计算与电力电子：应用于高密度GPU散热、电动汽车电驱系统、工业电源等领域的金刚石热沉与功率模块；
• 前沿科研与仪器：为高校、国家实验室提供高质量金刚石衬底与外延片。

愿景与价值观

昆仑芯星以“材料突破·价值创造·国家担当”为核心价值观，秉持“以金刚石之坚，铸中国之芯”的企业精神，持续投入基础研究与工程转化。

致力于将金刚石半导体的超常性能转化为推动产业进步与国家强盛的核心动力，成为引领全球宽禁带半导体产业发展的中国力量。