金刚石基氮化镓（GaN-on-Diamond）是将高性能氮化镓外延层与金刚石基板集成的革命性半导体材料，通过将GaN的高频高效特性与金刚石的超高热导率（2000 W/m·K以上）相结合，为射频放大器、5G系统和功率器件等高频高功率电子设备提供卓越的导热性、更高的功率密度和更高的可靠性。

金刚石基氮化镓技术通过三种主要方式实现：GaN与金刚石直接键合、在GaN上外延生长金刚石、在金刚石上外延生长GaN。

该技术可显著提升器件散热效率，有效降低结温，使GaN器件的输出功率密度提升3倍以上，热阻降低50%，器件寿命延长3倍以上，是突破高功率密度器件散热瓶颈的战略性解决方案。

金刚石基氮化镓技术正处于技术突破与商业化加速的关键阶段。尽管面临成本高企、界面热阻控制等挑战，但5G通信、国防军工、汽车电子等领域的刚性需求将持续驱动行业增长。

随着8英寸晶圆量产等技术上的突破，2027-2030年或将迎来行业爆发期。

未来，技术领先企业、具备区域政策红利的市场及新兴应用场景，将成为行业竞争的核心焦点。