近日，在长三角某重要城市举办的高规格招商引资与产业发展对接大会上，国内超宽禁带半导体材料领域的领军企业——昆仑芯星半导体有限公司，作为大会重点邀请的硬科技代表企业亮相，其基于金刚石衬底的第三代半导体技术成果与未来产业规划，在会场内外受到政府、资本及产业链伙伴的广泛瞩目。
本次大会以“凝聚新质生产力，布局未来产业”为主题，聚焦集成电路、人工智能、新材料等战略性方向。昆仑芯星因其在金刚石半导体这一前沿赛道的原创性突破与全链条布局，被主办方列为“关键战略材料”板块的核心推介企业。
会议期间，昆仑芯星向与会嘉宾系统展示了其全球领先的大尺寸单晶金刚石制备技术与金刚石基氮化镓（GaN-on-Diamond）外延片工程化能力。公司代表在专题发言中指出，金刚石作为终极半导体材料，其极高的热导率和超宽禁带特性，有望彻底解决下一代高功率、高频率电子器件的散热与性能瓶颈，是5G/6G通信、新一代相控阵雷达、高端计算等产业的共性基础技术。昆仑芯星已成功实现3英寸金刚石衬底的异质外延生长，并将晶体生长速度提升至行业平均水平的两倍以上，为材料大规模低成本应用奠定了基础。
“我们不仅仅提供材料，更致力于打造从金刚石衬底、外延生长到协同设计服务的完整解决方案。”公司负责人表示，“这项技术的突破，对提升我国在高端射频与功率半导体领域的自主可控能力具有战略意义。”
据悉，昆仑芯星的技术背景与产业化路径引起了多地政府产业部门与高端制造园区的高度兴趣。数个省市的经济技术开发区及产业基金已在会后与公司展开接洽，探讨围绕金刚石半导体建设“研发-制造-应用”生态集群的可能性。同时，多家专注硬科技投资的头部机构也表示，将持续关注该领域的技术演进与昆仑芯星的未来发展。
行业分析人士认为，以金刚石为代表的超宽禁带半导体，正成为全球半导体技术竞争的新制高点。昆仑芯星作为国内该领域少有的具备从材料到器件全链条研发能力的企业，其进展不仅代表了中国在前沿材料科学的创新高度，也为地方布局未来产业、培育新质生产力提供了稀缺的优质标的。此次受邀并受瞩目，折射出资本市场与地方政府对真正具有底层技术突破能力的硬科技企业日益增长的重视与期待。
未来，昆仑芯星计划进一步扩大研发与生产投入，加快推动金刚石半导体在关键领域的验证与规模化应用，助力我国在新一轮半导体材料竞争中占据先机。